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欧洲发布与CMOS工艺兼容的硅基锗锡激光器

发布者: XIAOZHONGMING | 发布时间: 2017-12-4 14:32| 查看数: 2725| 评论数: 0|帖子模式

  国外国防科技文献资料快报


   [据激光世界焦点网站2015年11月17日报道]德国于利希研究中心领导、由一些欧洲研究结构和大学组成的研究小组,将会在2015 IEEE 国际电子器件会议上(该会议将于12月7日至9日在华盛顿召开)发布硅基直接带隙锗锡微腔激光器,该激光器的激射波长为2.5 um,输出功率为 221 KW/cm2。


    该激光器采用厚度为560 nm且生长在锗缓冲层/硅衬底上的锗锡外延材料,由标准的CMOS兼容工艺制造,并单片集成在硅平台上。激光器的激射归功于应变引起的直接带隙外延层和微腔结构。这个研究工作克服了光子集成中CMOS工艺兼容的光源制备这一大难点,是硅光子集成的一个重要步骤。


    该激光器的制备工艺如下:外延生长后,采用干法刻蚀刻出微腔结构,然后用四氟化碳等离子体刻蚀出底部支柱,再淀积三氧化二铝作为钝化层。在这个过程中,微腔边缘的应力释放有助于提高激光器性能。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所)



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