解语樱木

过去两年，HBM的竞争主线很简单：谁堆得更高、谁跑得更快。三星、SK海力士、美光三家的产品发布会，几乎都在比层数和带宽。但到了2026年的Computex，风向彻底变了。

Computex 2026展会现场

三星首次公开展示HBM5原型，核心卖点不是速度，而是HPB散热技术。SK海力士在Computex前一周抢先发布iHBM方案，直接瞄准热管理。美光也在低功耗设计和沟槽冷却两条线上同时发力。

散热，成了下一代HBM里绕不过去的坎。

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]HBM堆叠结构示意图

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]

一、热量是怎么把HBM逼到墙角的？

这不是厂商没事找事。

新一代AI服务器GPU的单芯片功耗已经逼近1000W。而HBM的堆叠层数正从HBM4的12到16层，朝HBM5的20层极限迈进。堆得越高，热量积聚就越严重。如果还像以前那样，全靠底层基片一层一层往外导，散热路径太长，热量根本排不出去。结果就是芯片降频、算力缩水、整机不稳定。

一个关键信号是：英伟达和AMD已明确要求HBM供应商加强散热管理。过去散热是后端系统的事，服务器多装几个风扇、多加几块液冷板就能对付。现在不行了。热源就在芯片内部，外部散热手段再怎么加，内部热量出不来，一切都是白搭。于是散热设计被“前置”到了HBM封装内部。

竞争的逻辑变了：不是事后想办法降温，而是从一开始就让芯片少产热、快排热。

二、三家扛上了：三条路，三个方向

面对同一个难题，三家给出了完全不同的答卷。

SK海力士：直接在芯片内部装“冷却元件”

SK海力士的方案叫iHBM，发布于5月26日。核心做法是在发热最集中的D2D PHY区域嵌入一体化的“集成冷却元件ICE”，开辟专属的散热通道。与传统方案相比，热阻降低30%以上。

这个思路简单直接：哪儿最热，就把冷却元件放哪儿。而且沿用成熟的MR-MUF封装工艺，客户不需要改现有设计就能升级。SK海力士计划从HBM5开始大规模应用这套方案。

不过业内分析指出，SK海力士HBM5的量产时间点在2029到2030年，比三星晚一年左右。SK集团会长崔泰源在展会期间放话，AI带来的存储芯片短缺将持续到2030年，集团计划未来五年将晶圆产能翻倍。

三星：在芯片内部搭“烟囱”

三星在Computex 2026上首次公开展示了HBM5原型，核心技术是HPB（Heat Path Block）。通俗点说，就是在多层DRAM裸片之间埋入导热块，相当于在堆叠芯片内部搭起一座独立散热“烟囱”。

HPB用的是铜基材料，导热性能比传统聚合物基材料高出500到1000倍。三星的技术路线已经验证了可行性——方案已在HBM4E上落地，样品在5月底就交付给客户了。三星规划HBM5提供12层、16层和20层三种堆叠方案，目标在2028年左右量产。

此外，HBM5还将采用三星自研的2纳米工艺制造基础芯片，这是三星作为“集存储、代工、封装于一体”的综合性厂商的跨环节协同优势。

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]HPB散热路径示意图

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]

美光：走差异化路线

相比两家韩国厂商在封装内部做文章，美光选了另一条路：低功耗设计+硅通孔沟槽冷却。美光一直在低功耗DRAM上有优势，这次在低功耗路线上继续深挖。同时配合TSV沟槽冷却技术——在AI加速器芯片的硅芯片内部蚀刻微型沟槽，让冷却液在里面循环流动，把内部热量带走。

从市场表现看，美光2026年的全部HBM产能已经售罄，还把HBM市场规模预期上调到2028年达到1000亿美元，比此前的预测提前了两年。美光已经开始向英伟达Vera Rubin平台批量出货HBM4 36GB 12层堆叠产品。

三、黄仁勋已经给了答案

谁是最终的裁判？英伟达。

英伟达最新AI平台Vera Rubin已经进入量产阶段，三家厂商均已通过认证并为该平台供应HBM4。但HBM5的路线选择上，英伟达目前还没有公开表态。消息人士透露，英伟达正在同时验证三星和SK海力士两家的散热技术，最终选择将取决于量产良率和系统集成效率。

另外值得关注的是，英伟达在散热端的动作不仅限于HBM。黄仁勋在Computex 2026上已确认，Vera Rubin全系AI平台将标配金刚石散热方案。金刚石/铜复合材料热导率可达600-800W/（m·K），是传统铜冷板的数倍。这说明英伟达对整体热管理的重视程度已经到了最高级别。

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]英伟达Vera Rubin

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]

四、谁在闷声发大财？

散热战打起来，最受益的未必是三家芯片巨头，而是上游材料商和封装设备商。

先看一个数据：HBM价格从2025年二季度的180至220美元，飙涨到2026年二季度现货价的700至850美元，涨幅超过3倍。而HBM封装成本已经占总成本的40%到50%，其中散热界面材料与热管理方案占25%。

这意味着散热已经不是一个技术问题，而是一个巨大的增量市场。

产业链上已经在发生连锁反应：

• HPB架构搭配3D TIM（导热界面材料）协同散热，三星已在S26手机上扩大使用复合3D TIM，散热接触面积相比传统2D材料提升了118%。此前芯片级TIM市场长期由海外厂商垄断，但国内厂商的产品已经陆续通过客户验证，进入批量供货阶段。
• 高导热铜材的需求也在爆发。高端半导体级铜材凭借导热系数高、成本可控的优势，成为HBM内外置散热的核心材料。国内铜加工龙头正在切入全球头部HBM供应链。
• 金刚石复合材料从“航天级”下沉到“消费级”，CVD单晶金刚石热导率突破2200W/（m·K），国机精工等国内企业已完成材料研制，正在推进终端产品落地。
  
  

这是一条完整的受益链条：从金刚石/铜基散热材料供应商，到导热界面材料厂商，再到先进封装服务商，每一环都有增量。

五、接下来会发生什么？

散热技术正在重新定义HBM的竞争格局。

过去，HBM产品迭代的核心是速度和层数。今后决定胜负的关键指标，将是“芯片内部热管理”能力。这不是一个锦上添花的加分项，而是产品能不能稳定出货的生死线。谁能把20层堆叠的HBM5温度压住，谁就能拿下英伟达和AMD的下一代订单。

三条技术路线谁能胜出，现在下定论还为时过早。但从已有信息看，三星在量产时间表上领先（2028年vs SK海力士的2029-2030年），SK海力士在散热效率上领先（热阻降低30%vs三星的16%），美光则靠低功耗路线的差异化在拉近差距。

最终裁判权握在英伟达手里。量产良率、系统集成效率、成本控制，这几个维度的综合表现将决定最终分配方案。

与此同时，散热技术升级正在重塑半导体供应链。散热界面材料、高导热铜材、金刚石复合材料、先进封装设备，每一个细分赛道都在迎来增长窗口。对于上游材料厂商来说，这是技术升级和市场份额重新分配的关键时期。

这场散热战，本质上是3D封装时代下面临的一个普遍性挑战——堆叠层数越高，热密度越大，传统的散热思路就会失效。谁能率先在封装层面解决“热”的问题，谁就能在下一代AI算力竞争中拿到入场券。

---

读者讨论：

HBM散热三条路——三星的HPB烟囱、SK海力士的iHBM嵌入冷却、美光的低功耗+沟槽液冷，你看好哪一家的技术路线？英伟达最终会更倾向选择谁？欢迎在评论区聊聊你的判断。

版权声明

“特别声明：以上作品内容(包括在内的视频、图片或音频)为用户上传并发布，本平台仅提供信息存储空间服务。 Notice: The content above (including the videos, pictures and audios if any) is uploaded and posted by the user , the platform merely provides information storage space services.”

本文地址: https://www.amtbbs.org/thread-18287-1-1.html