十分之一！国产纳米压印量产8英寸光晶圆，完全绕开ASML
2026年6月初，璞璘科技与力策科技合作，采用自主研发的PL-AS真空气压式晶圆级纳米压印光刻设备，配合定制化双层压印胶材料体系，在“完全避开”传统深紫外(DUV)光刻路线的情况下，实现了8英寸光芯片晶圆的可规模化量产，并将光芯片制造成本压缩至传统DUV方案的十分之一。PL-AS真空气压式晶圆级纳米压印光刻机实拍图，来源：璞璘科技这一突破的亮点在于设备底层逻辑的革新。不同于光学曝光，纳米压印技术依靠“纳米印章”物理压印复制纳米图案。而璞璘科技选择的“真空气压式”方案，又在业内主流方案中找到了更优解：采用“空气垫”式面接触压印原理，解决了辊压法线接触模式带来的晶圆表面受力不均、残余层厚度偏差大的问题；同时采用全域一次压印，大幅提升了量产效率，解决了日本佳能步进式压印精度高但速度偏慢的痛点。根据公开数据，PL-AS线宽分辨率小于10nm，晶圆整面压印压力均匀性误差低于0.5%，残余层厚度偏差控制在2nm以内。更关键的是，这套方案彻底摒弃了DUV光刻中昂贵复杂的光学系统，气压式设备结构更简单，复合模板使用寿命可达传统方案的5倍以上。12寸晶圆光芯片压印展示效果图，来源：璞璘科技成本优势为何能拉开十倍差距将单片芯片制造成本压缩至DUV方案的十分之一，这个数字背后是一套系统性、结构性的降本逻辑。大致可以梳理为三个层面：第一，设备投入的陡降。一台ASML的DUV光刻机价格动辄数千万乃至上亿美元，且采购周期极长；而纳米压印设备无需复杂的光学系统，气压式结构大大降低了设备造价和设备复杂度。第二，运维成本的天壤之别。DUV光刻设备不仅采购贵，日常维护和耗材成本同样高昂；而纳米压印方案采用复合模板技术，模板使用寿命更长，大幅降低了耗材成本。第三，工艺集成的简并效应。传统DUV光刻制造光芯片时，面对从几十纳米到数微米的跨尺度复杂结构，往往需要多道光刻工序和多台设备配合；而纳米压印将所有这些结构制作在同一片模板上，一次压印即可完成复刻，大幅缩短了生产周期，降低了因多道工序累积导致的良率损耗。纳米压印光刻技术量产激光雷达芯片样品图，来源：璞璘科技目前，璞璘科技这套方案已在三大光芯片赛道完成量产验证：一是大口径OPA激光雷达芯片，面向车载和智能终端市场；二是GaAs/InP脆性衬底上的光通信传感芯片；三是8英寸硅光晶圆，适配AI算力爆发下的光互联需求。从这套落地清单不难看出，璞璘科技选了一条非常务实的路——没有直接去挑战CPU/GPU等对缺陷率和套刻精度极度挑剔的逻辑芯片，而是先在结构相对规律、对缺陷容忍度更高的光芯片赛道完成量产卡位。争议：商业化规模尚待验证任何一项新技术在早期引发争议，都再正常不过。行业内的普遍焦虑和怀疑，主要聚焦在三个维度。其一，量产规模、良率以及非光子芯片领域的适用性尚未得到充分验证。目前这套技术已实现8英寸晶圆的规模化量产，但璞璘科技尚未完整披露具体的良率、出货量、客户订单及第三方独立验证数据，商业化规模仍需持续跟踪。其二，纳米压印技术自身的短板仍在行业认知中挥之不去：模板寿命短、缺陷率偏高、压印速度偏慢。这些技术难点直接影响量产的经济性，也是此前制约纳米压印走向大规模产业应用的核心瓶颈。其三，对替代路径的边界要有清醒判断。研究机构SemiAnalysis指出，尽管纳米压印设备本身的成本更低，但其实际成本优势高度依赖于产能、模板生产、缺陷率、工艺集成水平等多重因素，短期内难以撼动DUV和EUV在先进逻辑芯片制造领域的主导地位。也就是说，它并非万能替代方案，而是特定赛道的“互补者”。另一条重要线索：华为“韬定律”折射的系统性转向璞璘科技的突破并非孤立事件。2026年5月，华为半导体业务部总裁何庭波在国际电路与系统研讨会（ISCAS）上正式发布“韬（τ）定律”，提出以“时间缩微”替代“几何缩微”，不再执着于缩小晶体管尺寸，而是通过系统性压缩信号传播时延来提升芯片性能。过去六年，华为基于这一框架已量产381款芯片。韬定律的底层逻辑，是承认在无法获得EUV等先进光刻设备的情况下，不再在摩尔定律的赛道上硬追，而是把发展重心转向更实际的路径——先进封装、三维集成、系统级性能优化。这种思路在AI算力需求持续爆发的背景下尤其重要：光模块、先进封装、半导体设备、EDA工具、高速互联等细分赛道将获得更持久的产业驱动力。如果将璞璘科技的纳米压印路径、华为的韬定律放在同一张地图上看，会发现一个共同的主题：在出口管制愈发严苛、先进光刻设备获取通道被封锁的背景下，中国半导体产业正在系统性地探索多条差异化技术路线。材料、设备、架构、封装，每个环节都在寻找切实可行的突破点，短期内各路线并行，在细分赛道上各自积累。从另一个角度看，中国也手握自己的底牌——全球95%以上的镓资源掌握在国内，且已对镓、锗等关键材料实施出口管制。在化合物半导体、光电显示等领域，这种资源禀赋是一条不可忽视的战略优势。不过，纳米压印在光芯片赛道上的初步产业化，仍然是一个值得记下的节点。它用真金白银的设备交付和晶圆量产，验证了一条“不依赖ASML”的可行通道。当然，这离完全改变行业格局还有很长的路要走——良率的稳定爬坡、设备产能的提升、向更多芯片品类的扩展，每一步都伴随巨大挑战。但我们也可以带着问题往下看：如果纳米压印技术在光芯片领域持续印证稳定量产和高良率，你觉得它下一步最有希望在哪个细分领域实现规模化替代？功率器件、MEMS还是逻辑芯片中的某些特定层级？欢迎在评论区聊聊你的判断。
页:
[1]